大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网第一次染发对头发伤害大吗，三类人不适合染发络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只第一次染发对头发伤害大吗，三类人不适合染发要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm第一次染发对头发伤害大吗，三类人不适合染发 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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