大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公三大改造的内容和意义，简述三大改造的内容室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营三大改造的内容和意义，简述三大改造的内容者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储三大改造的内容和意义，简述三大改造的内容(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 三大改造的内容和意义，简述三大改造的内容