大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán病娇是什么意思，病娇是什么意思呀网络用语)审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。病娇是什么意思，病娇是什么意思呀网络用语

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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