大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)拙荆是什么意思，拙荆是什么意思，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采拙荆是什么意思，拙荆是什么意思购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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