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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次殖民地和半殖民地区别通俗易懂，中国7个殖民地对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为殖民地和半殖民地区别通俗易懂，中国7个殖民地最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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