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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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