大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络(luò美国总统奥巴马几岁)安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国(美国总统奥巴马几岁guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量(lià美国总统奥巴马几岁ng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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