大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎(寿眉是最差的白茶吗，寿眉是什么档次的茶yíng)各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根寿眉是最差的白茶吗，寿眉是什么档次的茶据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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