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小小心意,不成敬意请笑纳,小小心意 不成敬意是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发(fā)消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn),对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我国国家(jiā)安全。为此,网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查,目(mù)的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开(kāi)放,只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要(yào)求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场。

  半导体(tǐ)突(tū)发(fā)!中(zhōng)国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关键(jiàn)小小心意,不成敬意请笑纳,小小心意 不成敬意是什么意思信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán),防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险,维护(hù)国家安全(quán),依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法》,网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》,对美(měi)光公(gōng)司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

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  半导体突(tū)发!中国出(chū)手(shǒu):停止采购!

  美光(guāng)是美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头,也(yě)是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一,2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(小小心意,不成敬意请笑纳,小小心意 不成敬意是什么意思shì)、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降,至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示, 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势,公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

  有券商此前(qián)就分析(xī),如果美光在中国区销售受到限制,或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客(kè)户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu),同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo),催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75%。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单,设备国产化进(jìn)程(chéng)加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄(báo)膜沉积(jī))等相关(guān)公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛(shèng)美上海(清(qīng)洗(xǐ))等收入(rù)增长。

 

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