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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛冰火两重天是什么意思？怎么操作，男女之间的冰火两重天是什么意思(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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