大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全(q冀g是河北哪里的车牌uán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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