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山登绝顶我为峰全诗李白,最霸气的十首诗

山登绝顶我为峰全诗李白,最霸气的十首诗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来(lái)看一则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患,对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网络安(ān)全审山登绝顶我为峰全诗李白,最霸气的十首诗(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规,我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查,目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán),是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng),只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全,防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安全(quán),依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安(ān)全(quán)法》,网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》,对美光(guāng)公(gōng)司(Micron)在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng),江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

  美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降,至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示,江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公司(sī)在下游市场的供应优势,公司(sī)也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析,如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制,或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì),国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo),催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单,设备国产化进(jìn)程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)山登绝顶我为峰全诗李白,最霸气的十首诗额(é)提(tí)升,以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清(qīng)洗)等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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