大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查(chá)的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，冲是什么意思网络用语，冲是什么意思污我(wǒ)国内冲是什么意思网络用语，冲是什么意思污(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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