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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等帧率是高好还是低好，王者帧率是高好还是低好公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储帧率是高好还是低好，王者帧率是高好还是低好厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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