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坐镇和坐阵的区别脍炙人口,坐镇和坐阵有什么作用

坐镇和坐阵的区别脍炙人口,坐镇和坐阵有什么作用 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息(xī)。

  美光公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

  审查发(fā)现,美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患,对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险,影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此(cǐ),网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的(de)运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

  此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查,目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全(quán),是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

  半(bàn)导体突发(fā)!中国出<span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>坐镇和坐阵的区别脍炙人口,坐镇和坐阵有什么作用</span>手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文(wén)称,为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全,防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险,维护(hù)国家安全,依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国出(chū)手:停(tíng)止采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头,也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021坐镇和坐阵的区别脍炙人口,坐镇和坐阵有什么作用 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司中,江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

  美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降,至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商(shāng)此前就分(fēn)析,如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限制,或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì),国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo),催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单(dān),设备(bèi)国产化(huà)进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关(guān)公(gōng)司份额提升,以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长。

 

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