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  大(dà)家(jiā)好,来看一则突发消息。

  充电宝100wh等于多少毫安ong>美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

  审查发(fā)现,美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患,对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn),影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规,我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查,目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全(quán),是(shì)维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称,为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全,防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国(guó)家安全,依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中国(guó)出手(shǒu):停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu),也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计(jì),2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存(cún))市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

  美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降,至少已经不是主要(yào)大供应商。

  公告显充电宝100wh等于多少毫安示, 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商,采购(gòu)约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期(qī)合约,确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定(dìng)性,巩固公司在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析,如果美(měi)光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制,或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析(xī)称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù),薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为75%。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单,设(shè)备国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等相关公(gōng)司份额提升,以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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