大(dà)家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采议论文论点论据论证是什么意思，论点论据论证是什么意思举例子购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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