大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安(ā甘为人梯的意思是什么意思，甘为人梯出处n)全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què甘为人梯的意思是什么意思，甘为人梯出处)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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