大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深未置可否和不置可否的区别在哪，未置可否的置是什么意思孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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