大(dà)家(jiā)好，来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风(fēng1千克水等于多少毫升水，一1升水等于多少毫升)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存1千克水等于多少毫升水，一1升水等于多少毫升储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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