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　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障关(施为什么读yi什么意思，施怎么读啊guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún施为什么读yi什么意思，施怎么读啊)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。施为什么读yi什么意思，施怎么读啊trong>存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。