大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、阻抗实部虚部是什么意思，实部虚部是什么意思啊22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)阻抗实部虚部是什么意思，实部虚部是什么意思啊应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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