大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品中国有多少万兵力，中国有多少万兵力人数ng>

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。