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　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披大学辍学和退学的区别，辍学和休学的区别露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报大学辍学和退学的区别，辍学和休学的区别显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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