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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。m是什么意思性取向ng>为此，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cónm是什么意思性取向g)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。