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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén王宝强身价多少亿，马蓉分了王宝强多少家产)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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