大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(l腰围63是多少尺码，腰围63是多大尺码iàn)上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP腰围63是多少尺码，腰围63是多大尺码）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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