大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有打男人脸男人会恨你吗，男人会记得打他脸女人券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng打男人脸男人会恨你吗，男人会记得打他脸女人)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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