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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(cow的复数怎么写的，cow的复数英语怎么读gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进cow的复数怎么写的，cow的复数英语怎么读(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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