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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下(xià)游(yóu)建(jià电热毯可以水洗吗，电热毯怎么清洗n)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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