大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂故意不接电话说明什么，女人不接电话暗示什么商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(故意不接电话说明什么，女人不接电话暗示什么wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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