大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。文章真实身高，文章个人资料简介按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键(文章真实身高，文章个人资料简介jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿文章真实身高，文章个人资料简介元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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