大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和稚优泉这个牌子怎么样，稚优泉这个牌子怎么样啊(hé)国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办法(f稚优泉这个牌子怎么样，稚优泉这个牌子怎么样啊ǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络稚优泉这个牌子怎么样，稚优泉这个牌子怎么样啊安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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