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不删前女友的男人能要吗,男人为啥不删前女友

不删前女友的男人能要吗,男人为啥不删前女友 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消(xi不删前女友的男人能要吗,男人为啥不删前女友āo)息(xī)。

  美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn),对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险,影响我(wǒ)国国家安全。为此,网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

  此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查,目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全,是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng),只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全,防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险,维护国家安全,依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额(é)约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市场份额(é)约不删前女友的男人能要吗,男人为啥不删前女友为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降,至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性,巩固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分(fēn)析(xī),如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制,或将导致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士(shì),国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

  分(fēn)析称,长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备(bèi)不删前女友的男人能要吗,男人为啥不删前女友厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù),薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单,设备国产化进程加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额(é)提升(shēng),以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(hǎi)(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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