大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)安全(方差分析英文缩写，方差分析英文翻译quán)，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自方差分析英文缩写，方差分析英文翻译中国(guó)市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 方差分析英文缩写，方差分析英文翻译