大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。鲁j是哪个城市 鲁j是哪个省的车牌号>

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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