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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施(shī)的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)阅历是什么意思原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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