大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　一本书多重，一本书多重有一斤吗　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一本书多重，一本书多重有一斤吗一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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