大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题100块钱值多少美元，100美元是几百元钱隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 100块钱值多少美元，100美元是几百元钱NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司100块钱值多少美元，100美元是几百元钱(sī)中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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