大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网古巴对中国人友好吗，古巴为什么对中国人这么好络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的古巴对中国人友好吗，古巴为什么对中国人这么好产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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