美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(值勤执勤的区别，值勤跟执勤的区别dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有值勤执勤的区别，值勤跟执勤的区别券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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