大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。每天晚上都要弄我，天天晚上想弄我怎么办

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储每天晚上都要弄我，天天晚上想弄我怎么办被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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