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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jià庸人自扰之前一句意思是什么天下本无事，世上本无事庸人自扰之是什么意思o)严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀庸人自扰之前一句意思是什么天下本无事，世上本无事庸人自扰之是什么意思(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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