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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(怎样跟情人要钱才不尴尬，怎么问情人要钱的技巧fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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