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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商(sh孙权劝学中的古今异义，劝学中的古今异义词整理āng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)孙权劝学中的古今异义，劝学中的古今异义词整理保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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