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太深是一种什么体验,太深是不是不好

太深是一种什么体验,太深是不是不好 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发消息(xī)。

  美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现,美光公司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患,对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn),影响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此,网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī),我国内关键(jiàn)信息基础设施太深是一种什么体验,太深是不是不好的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

  此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查,目的是太深是一种什么体验,太深是不是不好防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全,是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国(guó)出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全,防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险,维护(hù)国家(jiā)安全,依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》,网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采购(gòu)!

  美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头,也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计(jì),2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降,至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng),采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势,公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制,或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(太深是一种什么体验,太深是不是不好zhě)沟槽,催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单,设备国产化进程加(jiā)速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉(chén)积)等相关公司(sī)份额提升,以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清(qīng)洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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