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　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国(gu经常对视会产生好感吗，异性经常对视会增加好感ó)关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司经常对视会产生好感吗，异性经常对视会增加好感披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开(kāi)支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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