大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我防碍哪个字错了，防碍哪个字错了并改正(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息防碍哪个字错了，防碍哪个字错了并改正基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)防碍哪个字错了，防碍哪个字错了并改正片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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