大家好，来看一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xi50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多àn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 50mg等于多少g 头孢50mg和125mg哪个多