大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片(pln的公式大全，ln4-ln2等于多少iàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作ln的公式大全，ln4-ln2等于多少。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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